株式会社クオルテック、研究開発拠点を開所 低損失化、高耐圧化、小型化（省エネ・グリーン化、カーボンニュートラル）の面で優位性を持つ、新規次世代半導体材料GeO₂半導体の製膜事業の早期参入を目指す。 立命館大学発ベンチャー、Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐豊祐、以下「PATENTIX」）は、株式会社クオルテック（本社：大阪府堺市、代表取締役社長：山口友宏、以下「クオルテック」）が「滋賀県立テクノファクトリー（※1）」内に設立した、新規次世代半導体材料を使用したパワー半導体の製膜における研究開発拠点の開所式に出席しました（2024年5月10日）。 これを機にクオルテックは二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化に向けて、GeO₂薄膜の電気特性評価や膜中に存在する欠陥評価等を行い、PATENTIXは、高品質な GeO₂ エピ製膜技術の研究開発・試作評価を促進させてまいります。 クオルテックの強みであるパワー半導体の信頼性評価技術を生かし、新規次世代半導体材料であるGeO₂半導体（※2）のエピウェハの早期供給に向け、GeO₂のルチル相層などを分析・評価する多目的Ｘ線回折装置などを導入し、製膜試作や分析・評価に取り組みます。 ※1 滋賀県立テクノファクトリー： 滋賀県が新規事業や新分野を目指す方に向けて、独創技術や新製品の研究開発を行う場として、県工業技術総合センターや滋賀県立大学などにレンタルラボ「滋賀県立テクノファクトリー」を設置し、県内産業の振興を図ることを目的に整備された賃貸型工場施設です。 所在地：滋賀県草津市野路東7丁目3-46 ※2 GeO₂半導体：(PATENTIX社ホームページより) GeO₂ は、ルチル構造、α石英構造、CaCl2 タイプ、α-PbO2 タイプ、pyriteタイプの5つの結晶多型をもちます。その中でもルチル構造r-GeO₂ は、4.6eVという巨大なバンドギャップをもち、ｎ型、ｐ型の両伝導が理論予測されている事から次世代の高性能Normally-off型MOSFET等への応用が期待されています。
