GeO2半導体は三拍子そろったパワー半導体
01
Feature 01
ドーピングによる
p 型 n 型制御
ノーマリーオフ MOSFET,IGBT
02
Feature 02
安価なバルク基板
安価な製膜方法
03
Feature 03
パワー半導体としての
高いポテンシャル UWBG 半導体
Patentix開発装置・装置開発改良サービス
- PhantomSVD(ファントム局所的気相成長)装置 ~ミスト CVD 法から進化した新しい原理による結晶成長装置~
- ファントム表面加工装置 粗化等 ~安全・ 安価 ・ 高効率 ・ 高品質~
- 新規機能膜(新規金属酸化膜、新規金属膜、新規有機膜など) の開発・改良サービス