平素は格別のお引立てを賜り、厚く御礼申し上げます。 誠に勝手ながら、以下の期間を年末年始休業とさせていただきます。 期間中は何かとご迷惑をおかけしますが、何卒ご了承の程宜しくお願い申し上げます。 【年末年始休業】 2024年12月27日（金）～2025年1月5日（日） なお、2025年1月6日（月）より通常通り営業いたします。 ご迷惑をお掛けいたしますが、何卒ご理解賜りますようよろしくお願い申し上げます。
世界初 ルチル型GeO2結晶によるショットキーバリアダイオード動作を確認
Patentix株式会社は、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）単結晶薄膜上に、ショットキーバリアダイオードを形成し、その動作を確認することに成功しました。これはr-GeO2で実現された世界初の半導体デバイスであり、r-GeO2パワー半導体デバイスの実現に向けた重要な一歩です。
中小企業基盤整備機構主催「FASTAR ９th DemoDay」イベントレポートの公開
7月19日に開催されました、中小企業基盤整備機構主催「FASTAR ９th DemoDay」のイベントレポートが公開されました。 当社は『モバイル・インターネットキャピタル賞』『オーディエンス賞』のダブル受賞を果たしました。 今後も半導体を用いて世界のエネルギー問題に対処し、持続可能な社会の実現に寄与してまいります。 ※FASTAR 独立行政法人 中小企業基盤整備機構のスタートアップ支援事業 イベントレポート前編 https://fastar.smrj.go.jp/events/detail_20240924_01.html イベントレポート後編 https://fastar.smrj.go.jp/events/detail_20240924_02.html
“世界初”ルチル型二酸化ゲルマニウム薄膜にてN型導電性を確認 ―半導体デバイス開発へ大きく前進！―
Patentix株式会社はこの度、ドーパント不純物を添加することによりルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)薄膜のN型伝導性を世界で初めて確認しました。この成果により、本格的な半導体デバイスの開発を開始することが可能となり、パワー半導体への実用化に大きく前進しました。 【背景】 普段使用している様々な家電製品や機械設備、EVなどの電源はパワー半導体で変換した電力を用いて動いています。この電力変換の時に電気エネルギーが熱として損失となることが脱炭素社会の実現の障壁となっています。これを解決するためにはパワー半導体の材料であるシリコン(Si)から、炭化ケイ素(SiC)などのワイドバンドギャップ材料への置き換えが必要です。r-GeO2は、バンドギャップが4.6eVとSiの1.1eVやSiCの3.3eVと比べ非常に大きな値を持つため非常に低損失なパワー半導体の作製が可能です。近年実用化が進んでいるSiCはSiよりも約40%の省エネ効果があるとされていますが、r-GeO2はさらにその90%程度の省エネ効果があると理論的に示されています。 このように、非常に魅力的な物性を持つr-GeO2ですが、これまでは高品質な単結晶膜を作製することが難しいため、あまり研究対象として注目されていませんでした。また、半導体に不可欠なドーピング不純物による導電性の制御手法が確立されておらず、本格的な半導体デバイスの開発が進んでいませんでした(不純物の少ない半導体は、伝導性が極めて低いですが、ドーパントと呼ばれる不純物を微量に添加することで飛躍的に伝導性が上がります。半導体デバイスではドーパントの添加量により導電性の制御をしています)。 【成果】 弊社はPhantom SVDという高品質な薄膜作製技術を独自に開発し、これまで困難であった高品質なr-GeO2薄膜の作製に成功しています。この度、さらに改良を加えることで均質性の高い薄膜結晶を作製することが出来ました(図1)。 図1:TiO2基板上に作製した均質なr-GeO2薄膜の写真 今回の成果はこの均質性の高い膜にドーパントの添加量を3水準変えた試料を作製しホール効果測定により導電性の確認を行いました。その結果を表1に示します。ホール効果測定により、すべての試料でN型の導電性を確認しました。r-GeO2薄膜にてN型の導電性を確認したことは世界初の成果となります。また、キャリア濃度についてもドーパントの添加量を制御することでキャリア濃度1018～1020 範囲で制御出来ております。本成果は、半導体デバイス作製には必須の技術であり、材料開発から実用化に向けたデバイス開発へ大きく舵を切っていくことが出来ます。本測定の正確性については、ホール起電力の値が強く表れ、Ｆ値が１と測定誤差が小さく対称性の良い値が得られているため信頼性の高い結果が得られたことを示しています。 ＊ホール起電力とは、ホール効果を利用した測定で生じる電圧です。 ＊Ｆ値とは、主にホール効果の測定精度に影響を与える補正係数の一種です。測定誤差を減らし、実際の材料特性を正確に反映するために必要な係数です。Ｆ値が１に近い値を示す場合、理想的な試料の状態を意味します。 【将来展望】 今回の成果により、弊社ではr-GeO2の半導体デバイス開発を本格的に進めていきます。当初は、構造の簡便なショットキーバリアダイオードの試作を進め、r-GeO2の省エネ性能などの基本的な特性評価を行います。また、HEMT(High Electron Mobility Transistor)やFET(Field Effect Transistor)等の各種トランジスタの開発も進めていきます。
PATENTIX、二酸化ゲルマニウム（GeO₂）の有償サンプル出荷に向け、クオルテックが出荷検査を行うことに両社基本合意を締結
立命館大学発ベンチャー、Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐豊祐、以下「PATENTIX」）は、資本業務提携先である株式会社クオルテック（本社：大阪府堺市、代表取締役社長：山口友宏、以下「クオルテック」）が有償サンプルの出荷検査を行うことで、PATENTIXとクオルテックとが基本合意いたしました。（2024年8月1日） 今後、PATENTIXとクオルテックの２社が共同研究開発の拠点としている滋賀県立テクノファクトリーにて、PATENTIXは二酸化ゲルマニウム（GeO₂）の研究開発及び製造を行い、クオルテックは検査設備を導入し、出荷前検査を行うことになります。 ＜本基本合意の背景＞ PATENTIXが開発を進めるGeO₂は、従来と比べて10倍以上性能が向上すると期待されておりますが、GeO₂はルチル型結晶の作製が困難でありました。 PATENTIXは独自開発したPhantomSVD®法により、GeO₂のルチル型単結晶膜の作製に世界で初めて成功いたしました。その結果、本年度10月頃より共同開発先などに対しGeO₂ウエハの有償サンプルの出荷を始める運びとなりました。 ＜今後の展開＞ 今後も引き続きGeO₂の研究開発から製造販売まで一気通貫で推し進め、GeO₂ウエハの早期供給を可能とする企業群を形成し、琵琶湖半導体構想（案）の推進とともに、世界に勝てる日本発のパワー半導体産業の実現に寄与いたします。 ■会社概要 社名：Patentix株式会社 代表取締役社長：衣斐豊祐 本社所在地：滋賀県草津市野路東1丁目1番1号 立命館大学BKCインキュベータ HP：https://www.patentix.co.jp/ 社名：株式会社クオルテック 代表取締役社長：山口友宏 本社所在地：大阪府堺市堺区三宝町4丁230番地 HP：https://www.qualtec.co.jp/
「経済産業省 成長型中小企業等研究開発支援事業（Go-Tech事業）」に採択されました。
当社はこの度、令和６年度の「経済産業省 成長型中小企業等研究開発支援事業（Go-Tech事業）」に、「世界初の次世代半導体 二酸化ゲルマニウムの実用化に向けたバルク結晶開発」を研究開発題目として応募し、採択されましたのでお知らせいたします。 研究開発題目 世界初の次世代半導体 二酸化ゲルマニウムの実用化に向けたバルク結晶開発 概要 本事業は、4.6eVという巨大なバンドギャップをもち、ｎ型、ｐ型の両伝導が理論的に予測されている新規次世代半導体r-GeO2の早期社会実装を目指すものである。 実用化の第一段階として世界最大となるセンチメートル級の大型結晶の研究開発を事業期間内に行い、研究開発用途の二酸化ゲルマニウム基板の事業化を目指す。 近畿経済産業局 「令和6年度成長型中小企業等研究開発支援事業の採択結果について」2024年6月24日報道発表資料 https://www.kansai.meti.go.jp/3-5sangyo/sapoin/2024/saitaku.html
株式会社クオルテック、研究開発拠点を開所
株式会社クオルテック、研究開発拠点を開所 低損失化、高耐圧化、小型化（省エネ・グリーン化、カーボンニュートラル）の面で優位性を持つ、新規次世代半導体材料GeO₂半導体の製膜事業の早期参入を目指す。 立命館大学発ベンチャー、Patentix株式会社（本社：滋賀県草津市、代表取締役社長：衣斐豊祐、以下「PATENTIX」）は、株式会社クオルテック（本社：大阪府堺市、代表取締役社長：山口友宏、以下「クオルテック」）が「滋賀県立テクノファクトリー（※1）」内に設立した、新規次世代半導体材料を使用したパワー半導体の製膜における研究開発拠点の開所式に出席しました（2024年5月10日）。 これを機にクオルテックは二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化に向けて、GeO₂薄膜の電気特性評価や膜中に存在する欠陥評価等を行い、PATENTIXは、高品質な GeO₂ エピ製膜技術の研究開発・試作評価を促進させてまいります。 クオルテックの強みであるパワー半導体の信頼性評価技術を生かし、新規次世代半導体材料であるGeO₂半導体（※2）のエピウェハの早期供給に向け、GeO₂のルチル相層などを分析・評価する多目的Ｘ線回折装置などを導入し、製膜試作や分析・評価に取り組みます。 ※1 滋賀県立テクノファクトリー： 滋賀県が新規事業や新分野を目指す方に向けて、独創技術や新製品の研究開発を行う場として、県工業技術総合センターや滋賀県立大学などにレンタルラボ「滋賀県立テクノファクトリー」を設置し、県内産業の振興を図ることを目的に整備された賃貸型工場施設です。 所在地：滋賀県草津市野路東7丁目3-46 ※2 GeO₂半導体：(PATENTIX社ホームページより) GeO₂ は、ルチル構造、α石英構造、CaCl2 タイプ、α-PbO2 タイプ、pyriteタイプの5つの結晶多型をもちます。その中でもルチル構造r-GeO₂ は、4.6eVという巨大なバンドギャップをもち、ｎ型、ｐ型の両伝導が理論予測されている事から次世代の高性能Normally-off型MOSFET等への応用が期待されています。
ゴールデンウィークに伴う休業のお知らせ
平素は格別のお引立てを賜り、厚く御礼申し上げます。 誠に勝手ながら、以下の期間をゴールデンウィーク休業とさせていただきます。 期間中は何かとご迷惑をおかけしますが、何卒ご了承の程宜しくお願い申し上げます。 【ゴールデンウィーク休業】 2024年4月27日（土）～2024年5月6日（月） なお、2024年5月7日（火）より通常通り営業いたします。 ご迷惑をお掛けいたしますが、何卒ご理解賜りますようよろしくお願い申し上げます。
経済産業省の技術情報管理認証制度（TICS）の認証を取得いたしました。
立命館大学発ベンチャーのPatentix株式会社 （本社：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、このたび技術情報管理認証制度（TICS）の認証を取得いたしました。弊社は、技術情報管理認証の取得に向けて、以下のような取り組みを行っています。 技術情報の分類・管理方法の策定 技術情報の漏えい防止・復旧対策の実施 技術情報の取扱いに関する教育・研修の実施 技術情報の管理状況の監査・改善の実施 技術情報管理認証の取得は、弊社の事業活動における情報セキュリティの取り組みの成果を示すものであり、今後も、弊社は技術情報の管理に努めてまいります。 技術情報管理認証制度（TICS）とは 技術情報管理認証制度（TICS）は、国が認定した認証機関が、企業の情報セキュリティ対策を産業競争力強化法に規定した「守り方」への適合性を評価認証する制度です。 これにより、技術情報の漏えいリスクを管理し、経済的損失や信頼の失墜を防ぐことが目的とされています。