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― 薄膜の大面積化実現に大きく前進― 立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎 教授/RARAフェローとPatentix株式会社（所在地：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、共同で、二酸化ゲルマニウム（GeO2）をPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法によって、4インチウエハ上に製膜することに世界で初めて成功しました。 Patentix株式会社は、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体（UWBG）材料「二酸化ゲルマニウム」を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。この成果は、二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化できる可能性を示す大きな成果となりました。   1.概要 ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）は、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）と比べてさらに大きなバンドギャップをもつため、r-GeO2によるトランジスタやダイオードは高耐圧、高出力、高効率（低損失）という優れたパワーデバイス特性を備える事が期待されています。r-GeO2パワーデバイスの開発は日本が世界をリードしており、Patentix株式会社では2022年12月会社設立以降、r-GeO2の研究開発を進めております。 また、Patentix株式会社では、独自に開発したPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法を用いて製膜しており、PhantomSVDは、安全安価な原料溶液を用いることができコストパフォーマンスに優れています。また、従来の霧(ミスト)状にした溶液を用いるCVD法とは異なる原理で結晶成長が可能であり、より高品質かつより安全・安心な薄膜合成が可能となります。   ２．今回の成果及び今後の予定 立命館大学およびPatentix株式会社は、共同で、次世代半導体材料として注目される「二酸化ゲルマニウム（GeO2）」をPhantom SVD(ファントム局所的気相成長)法によって、4インチウエハ・Si(100)上に製膜することに世界で初めて成功しました。この成果は、2023年11月15日～17日に立命館大学・朱雀キャンパスで開催される半導体実装技術に関する国際学会「IEEE CPMT Symposium Japan (ICSJ)2023」において、プラチナスポンサーである当社ブースにて発表され、二酸化ゲルマニウム薄膜の大面積化の可能性を示す大きな成果となりました。 今後は、GeO2薄膜の電気特性評価や膜中に存在する欠陥評価等を行い、高品質なGeO2エピ製膜技術の開発を進めてまいります。 写真の説明：4インチウエハ上に成長した二酸化ゲルマニウムの写真。   本件に関するお問い合わせ先   Patentix株式会社 広報担当：清水 TEL. 0775-99-1558　Email. y.shimizu@patentix.co.jp   立命館大学広報課　担当：名和 TEL. 075-813-8300　Email. r-koho@st.ritsumei.ac.jp

2023年9月14日（木）、立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎教授が設立したPatentix（パテンティクス）株式会社が、大学発スタートアップ事業展開支援プログラム「U-START UP KANSAI オープンピッチ」に登壇。NEDO賞を受賞しました。 　このピッチイベントは大阪商工会議所と関西イノベーションイニシアティブ（KSII）の主催。登壇スタートアップおよびエントリーしたスタートアップへのマッチング支援等が目的で開催されました。当日、会場となったオープンイノベーション拠点Xport（大阪市北区）では、選考を通過した大学発スタートアップ9社によるハイレベルなピッチが展開され、来場者・オンライン合わせて約200人が、ピッチを見守りました。 金子健太郎教授 　金子教授は、立命館の中核研究を担うRARAフェローを務めており、新しい半導体材料の開発と知財戦略を柱とする新しいディープテックベンチャー Patentix株式会社を2022年に創業。Patentix株式会社は2023年6月、RSIF（立命館ソーシャルインパクトファンド）から出資を受けました。今回の受賞により、Patentix株式会社はNEDO 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構からスタートアップ支援事業における優遇措置を受けることができるようになり、事業を更に加速させていくことになりました。

　　　 【世界初】Phantom SVD(ファントム局所的気相成長)法でSiCへのルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)製膜に成功 ― r-GeO2パワーデバイスの実現へ大きく前進 ― 立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎研究室（金子健太郎 教授/RARAフェロー）とPatentix株式会社（所在地：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、共同で、次世代半導体材料として注目される「ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」をPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法によって、SiC上に製膜することに世界で初めて成功しました。 Patentix株式会社は、立命館大学発ベンチャーであり、超ワイドバンドギャップ半導体（UWBG）材料「二酸化ゲルマニウム」を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めています。この成果は、酸化物半導体パワーデバイスの開発で問題になっていた、基板の低い熱伝導率という課題に対して放熱性に優れたSiCを用いることで解決できる可能性を示す大きな成果となりました。   1.概要 ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）は、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）と比べてさらに大きなバンドギャップをもつため、r-GeO2によるトランジスタやダイオードは高耐圧、高出力、高効率（低損失）という優れたパワーデバイス特性を備える事が期待されています。r-GeO2パワーデバイスの開発は日本が世界をリードしており、Patentix株式会社では2022年12月会社設立以降、r-GeO2の研究開発を進めております。 また、Patentix株式会社では、独自に開発したPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法を用いて製膜しており、PhantomSVDは、安全安価な原料を用いることができコストパフォーマンスに優れています。また、従来の霧(ミスト)状にした溶液を用いるCVD法とは異なる原理で結晶成長が可能であり、より安全・安心な薄膜合成が可能となります。     ２．今回の成果及び今後の予定 立命館大学およびPatentix株式会社は、共同で、次世代半導体材料として注目される「ルチル構造二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）」をPhantom SVD(ファントム局所的気相成長)法によって、SiC上に製膜することに世界で初めて成功しました。この成果は、2023年9月18日～21日にポーランドのワルシャワで開催されている、ヨーロッパ最大の材料学会である「European Materials Research Society （E-MRS）」のFall Meetingで立命館大学大学院理工学研究科の清水悠吏（Patentix株式会社取締役兼務）により発表され、酸化物半導体パワーデバイスの開発で問題になっていた、基板の低い熱伝導率という課題に対して放熱性に優れたSiCを用いることで解決できる可能性を示す大きな成果となりました。今後は、r-GeO2薄膜の電気特性評価や膜中に存在する欠陥評価等を行い、高品質なr-GeO2エピ製膜技術の開発を進めてまいります。       写真の説明：Si(111)/3C-SiC(111)上に成長したルチル構造r-GeO2の写真。左端の未成長部は膜厚測定のためにマスキングした跡。   構造の説明：Si(111)基板上に製膜した<111>配向3C-SiC薄膜の上にr-GeO2の製膜を行った。   本件に関するお問い合わせ先 Patentix株式会社 広報担当：清水 TEL. 0775-99-1558　Email. y.shimizu@patentix.co.jp   立命館大学広報課　担当：名和 TEL. 075-813-8300　Email. r-koho@st.ritsumei.ac.jp

立命館大学発ディープテックベンチャーのPatentix株式会社がシードラウンドで5000万円の資金調達を実施 Patentix株式会社 2023年8月31日 超ワイドバンドギャップ半導体（UWBG)材料「二酸化ゲルマニウム」（GeO2）を用いた半導体基板・パワーデバイスの研究開発を進めるPatentix株式会社（所在地：滋賀県草津市、代表取締役：衣斐豊祐）は、シードラウンドにおいて、立命館ソーシャルインパクトファンド投資事業有限責任組合（プラスソーシャルインベストメント株式会社、本社：京都府京都市、代表取締役社長：野池雅人）を引受先とする、J-KISS型新株予約権発行により5,000万円の資金調達を実施いたしました。これにより、Patentix株式会社は、立命館大学の金子健太郎 教授 RARAフェロー  (同社取締役CTOを兼任)が開拓した新しいパワー半導体GeO2の研究開発を加速させ、究極の省エネルギー効率を示すGeO2半導体デバイスの社会実装化を進め、持続可能な低炭素社会の実現を目指します。

FASTARとは グローバル規模での社会課題解決や、成長産業の変革を目指している企業及び個人を対象に、資金調達や事業提携に向けて、担当の専門家が伴走型支援による事業計画のプラッシュアップを行う、成長加速化プログラムです。 当社は、今後の資金調達や事業提携等に向けて、FASTARを通じて、事業計画をしっかり立てて、事業計画の実行と検証を確実に行ってまいります。