Patentix株式会社は、ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）単結晶薄膜上に、ショットキーバリアダイオードを形成し、その動作を確認することに成功しました。これはr-GeO2で実現された世界初の半導体デバイスであり、r-GeO2パワー半導体デバイスの実現に向けた重要な一歩です。
