低損失化・小型化
大きな禁制帯幅(バンドギャップ)をもつ半導体材料は大きな絶縁破壊電界強度をもつ傾向があります。
一方で、バンドギャップの大きさとメジャーキャリア密度は経験則的にトレードオフの関係にあるため、
バンドギャップが大きい材料ほど絶縁体として振舞い、半導体としての電気特性を示さなくなります。
この矛盾する性質を高いバランスで両立する材料を探索する事が、新しいパワー半導体材料研究では重要な指針となります。
当社は現在開発が進められている二酸化ゲルマニウム(GeO₂ )に着目し、その社会実装を目指します。
高耐圧化
GeO₂ は大きなバンドギャップをもち、p型n型伝導が理論予測されています。
さらに、バルク・薄膜ともに低いコストでの作製が見込まれるため、既存材料では困難な高耐圧、高出力市場の創出が期待されます。
例えば、超高出力電源やモーターの作製、小型インバータ、宇宙用パワーデバイス、耐放射線用パワーデバイスなどの実現が予想されます。
